三星宣布首批3nm芯片出货：弯道超车 领先台积电
7月25日，三星宣布首批3nm芯片正式出货，这意味着三星在3nm芯片的竞争中弯道超车，领先于台积电3nm芯片。
三星的3nm工艺实际上分为两代，目前量产的是第一代3nm芯片，采用的是Gate-All-Around (GAA）工艺，据三星称，与类似的5nm FinFET芯片相比，3nm GAA芯片的功耗将降低45%，速度提高23%，体积缩小16%。号称要取代当下主流的FinFET（鳍式场效应晶体管）。虽然台积电的3nm也将在下半年量产，不过依然是FinFET。
第二代的3nm GAP工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好，不过要到2024年才能量产。2nm GAP工艺的量产时间也定了，预计在2025年量产，时间点跟台积电量产2nm工艺差不多，而且很可能在技术上领先后者，因为台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤牙膏，提升只有10%。
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