光刻机5纳米了几年后就1纳米了然后呢是不是有新的技术可以替代？
目前荷兰ASML量产的EUV光刻机只是第一代产品，已经可以实现5nm工艺及未来3nm工艺芯片的生产，今年我们就可以从华为麒麟1020和苹果的A14芯片上看到EUV光刻机的真正实力（上一代7nm euv只是部分使用EUV光刻机），但是半导体工艺如果需要继续进步的话，目前ASML的第一代EUV光刻机恐怕还不够。
其实早在多年以前，当第一代EUV光刻机研发成功后，ASML就在着手研发第二代EUV光刻机，于第一代光刻机相比，第二代EUV光刻机在透镜方面进行了升级，也就是使用了High NA高数值孔径透镜，可以大幅度提升光刻机的微缩分辨率和精度，从而满足未来密度更高的2nm，甚至1nm芯片的量产需求，可以说，EUV光刻机未来的前景广阔，芯片制程和密度的提升很大程度上依赖EUV光刻机的不断升级。
除了光刻机技术以外，如果到了1nm时代，可能芯片制造流程中的材料也会面临更新，很多人说1nm是现有半导体硅基材料的极限，未来则可能用上基于石墨烯开发的碳基芯片，虽说现在成本仍然较高，但是碳基芯片在性能和效率上明显超过现在的硅基芯片。
不过，考虑到光刻机的研发生产难度越来越大，第二代EUV光刻机可能得到2024年才能小批量生产，完全量产估计得到2025年，那时候相信也到了2nm和1nm的工艺节点，相比目前的7nm芯片，新工艺势必会带来更小的芯片面积和能耗，还有更强的性能表现，台积电、三星等芯片代工厂到时候肯定也会纷纷采购ASML的第二代EUV光刻机，从而完成新一代芯片的代工。
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